一、基本信息

刘延聪，男，汉族，1994年11月生，陕西西安人，讲师、工学博士、硕士生导师。

从事学科：电子科学与技术

电子邮箱：ycliu@xsyu.edu.cn

联系电话：15353665758

二、个人经历

教育经历

工作经历

三、研究方向和招生专业

研究方向

1、深耕于宽禁带半导体功率器件设计及可靠性问题研究。

2、主要研究方向以SiC材料为基础的功率器件相关工作机理研究 、器件特性仿真、器件结构设计、实验方案设计，HTRB、浪涌雪崩应力下器件的失效分析，以及器件测试与数据分析。

3、主要负责课题组内项目的测试分析工作，具备功率器件设计仿真能力，具备功率器件流片能力，熟悉功率·器件工艺制备流程。熟悉Sentaurus TCAD仿真，L-edit版图设计。

4、SiC JBS/MPS/PiN二极管的设计及可靠性研究，SiC MOSFET的可靠性研究，SiC IGBT终端设计研究等。

5、石油仪器中电力电子系统可靠性研究。

招生专业

硕士招生专业：仪器科学与技术、仪器仪表工程、电子科学与技术、电气工程及其自动化 名额1名

欢迎特别优秀、学习能力强的大二、大三本科生联系我参与我的团队科研工作。欢迎对半导体行业有浓厚兴趣、对数学物理等基础学科有信心的同学。

鼓励报考国家卓越工程师学院类别的硕士报考

有意者可联系。

联系方式：ycliu@xsyu.edu.cn（请附简历）

四、指导研究生

目前以第二导师身份，指导硕士生2名。

五、主讲课程

电路设计与仿真（本科课程）；

学术论文写作（本科课程）。

六、社会兼职

期刊审稿人

IEEE Transactions on Power Electronics(SCI I区 TOP)、IEEE Electron Device Letter、SPE Journal等期刊的审稿人。

七、科研成果

科研项目（限10项）

(1)陕西省教育厅,自然科学专项,25JK0618,面向深地应用的SiC功率器件高温失效机理及可靠性设计研究, 2026-01至2027-12,2万元,在研,主持。

(2)科学技术部高技术研究发展中心,国家重点研发计划青年科学家项目,2021YFB3601800,中高压SiC超级结电荷平衡理论研究及器件研制, 2021-12至2025-11, 300万元, 结题,参与。

(3)国家自然科学基金青年基金项目，61804118，SiC功率器件的重复雪崩可靠性问题及改善方法研究，2019.01-2021.12，24万元，结题，参与。

代表性论文（限10项）

[1] LIU Y, TANG X, YUAN H, et al. Demonstration of High Avalanche Capability in 1200 V-Rated SiC Junction Barrier Schottky Diodes With Record Avalanche Energy Density [J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2024, 39(3): 2912-6. (SCI-I区 TOP 第一作者）

[2] HAN C, LIU Y, LIU K, et al. A Novel Tapered Doping Tail Modulated Single Junction Termination Extension for High Voltage 4H-SiC Devices [J]. IEEE Electron Device Letters, 2024, 45(7): 1261-4. (SCI-II区 共同第一作者）

[3] LIU Y, YUAN H, WANG X, et al. Investigation of the avalanche ruggedness of SiC JBS diodes with floating limiting rings under single unclamped-inductive-switching stress [J]. Journal of Crystal Growth, 2023, 618: 127275. (SCI-IV区 第一作者）

[4] LIU Y, ZHOU Y, Yuan H, et al. Excellent Avalanche Capability in SiC Power Device With Positively Beveled Mesa Termination, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023) 17-22 2023 [C].(会议论文 第一作者）

[5] LIU Y, TANG X, SONG Q, et al. 10kV 4H-SiC IGBT Based on the Multi-floating-zone Junction Terminal Extension(MFZ-JTE) Structure; proceedings of the 2021 IEEE International Conference on Integrated Circuits, Technologies and Applications (ICTA), F 24-26 Nov. 2021, 2021 [C]. (会议论文 第一作者）

[6] YUAN H, LIU Y, HE Y, et al. Characteristic and Robustness of Trench Floating Limiting Rings for 4H-SiC Junction Barrier Schottky Rectifiers [J]. IEEE Electron Device Letters, 2020, 41(7): 1056-9. (SCI-II区 第二作者）

[7] YUAN H, LIU Y, ZHANG T, et al. Analysis of Floating Limiting Rings Termination Under Repetitive Avalanche Current Stress for 4H-SiC JBS Rectifiers [J]. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2021, 21(3): 361-4. (SCI-III区 第二作者）

[8] YUAN H, LIU Y, LUO J, et al. Experiment and analysis of repetitive avalanche low-current stress on 4H-SiC power devices [J]. Solid-State Electronics, 2022, 193: 108293. (SCI-III区 第二作者）

授权专利（限10项）

[1]何艳静;刘延聪;胡彦飞;袁昊;汤晓燕;宋庆文;张玉明. 一种SiC MPS二极管器件及其制备方法：中国，（授权） 专利号：ZL202010734370.3

[2]袁昊;刘延聪;何艳静;胡彦飞;宋庆文;汤晓燕;张玉明. 一种沟槽型SiC JBS二极管器件及其制备方法：中国，（授权）专利号：ZL202010734362.9

[3]汤晓燕;刘延聪;张玉明;袁昊;宋庆文. 一种新型超级浮动结碳化硅功率器件及其制备方法: 中国，申请公布号：CN 114628494A

[4]汤晓燕;刘延聪;宋庆文;张玉明;袁昊;何艳静;周瑜;许允亮.一种阶梯型FLR超级结功率器件终端结构及其制备方法: 中国，申请公布号：CN 114864660A

[5]汤晓燕;刘延聪;袁昊;王溶;周瑜;宋庆文;陈泽宇;陈利利.一种新型浮结碳化硅功率器件的SIMS-JTE终端结构及其制备方法:中国，申请公布号：CN 114883383A

[6]汤晓燕;刘延聪;张玉明;陈利利;袁昊;宋庆文;陈泽宇;王溶.一种新型浮结碳化硅功率器件的SM-JTE终端结构及其制备方法:中国，申请公布号：CN 114883387A